When a forward bias is applied to a p-n junction, the concentration of electrons on the p side?
- Increases slightly
- Increases dramatically
- Decreases slightly
- Decreases dramatically
Explanation
When a forward bias is applied to a p-n junction:
The potential barrier decreases.
Electrons from the n-side move toward the p-side.
These electrons are minority carriers on the p-side.
As a result, the concentration of electrons on the p-side increases, but only slightly, since it's still a small number compared to the holes (which are majority carriers on the p-side).
Related MCQs
طاقت کا ایس آئی یونٹ کیا ہے؟
- Force
- Charge
- Current
- Watt
اس سوال کو وضاحت کے ساتھ پڑھیں
اگر آؤٹ پٹ وولٹیج ان پٹ وولٹیج سے زیادہ ہے، تو ٹرانسفارمر ہے
- Step up
- Step down
- Faulty
- None of These
اس سوال کو وضاحت کے ساتھ پڑھیں
وہ کمپیوٹر پروگرام جو پروگرام کی ہدایات کو ایک وقت میں ایک ہدایت مشینی زبان میں تبدیل کرتا ہے، کیا کہلاتا ہے؟
- Interpreter
- Compiler
- CPU
- Interpreter
اس سوال کو وضاحت کے ساتھ پڑھیں
کون سے چھوٹے فلکی اجسام برف، گرد و غبار اور گیسوں سے بنے ہوتے ہیں اور سورج کے گرد انتہائی بیضوی مدار میں گردش کرتے ہیں؟
- Asteroids
- Meteoroids
- Comets
- None of these
اس سوال کو وضاحت کے ساتھ پڑھیں
ایکس رے ____ کی طرف سے دریافت کیا گیا ہے؟
- Charles Babbage
- Wilhelm Conrad Roentgen
- Ernest Rutherford
- None of these
اس سوال کو وضاحت کے ساتھ پڑھیں
